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IXTB62N50L
100
90
Fig. 7. Input Admittance
30
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
80
70
60
25
20
25oC
125oC
50
T J = 125oC
25oC
15
40
30
20
10
0
- 40oC
10
5
0
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
240
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
20
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
18
V DS = 250V
200
160
T J = 25oC
T J = 125oC
16
14
I D = 31A
I G = 10mA
12
120
80
40
0
10
8
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
100,000
10,000
1,000
100
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
1
0.1
0.01
0.001
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Second
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